ME-210-T膜厚测量仪为一种光学系膜厚测量装置，这个装置的特点是可以高精度测量1nm一下的极薄膜，也适合测量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技术，将不能变为可能，以往的技术是无法测量0.5mm厚的玻璃基板，在这项技术下，可进行极薄膜的高精度测量，举例来说显示器用的ITO膜或配向膜的评估，也可运用ME-210-T轻松达成。

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更新时间：2025-12-11

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ME-210-T膜厚测量仪适用透明基板的高速Mapping椭偏仪，可测量透明基板上的光阻膜及配向膜分布。

椭偏仪为一种光学系膜厚测量装置，膜厚测量仪这个装置的特点是可以高精度测量1nm一下的极薄膜，也适合测量玻璃等透明基板上的薄膜。

ME-210-T膜厚测量仪用了本公司*的偏光Senor 技术，将不能变为可能，以往的技术是无法测量0.5mm厚的玻璃基板，在这项技术下，可进行极薄膜的高精度测量，举例来说显示器用的ITO膜或配向膜的评估，也可运用ME-210-T轻松达成。

ME-210-T的高精度膜厚分布资料，定会对先进的薄膜产品的生产有的用途。

特点

1，高效的测量速度（每分约1000点：）可短时间内取得高密度的面分布数据。

2，微小领域量测（20un左右）可简单锁定&测量任一微小区域。

3，可测量透明基板

适用于解析玻璃基板上的极薄膜。

测量实例

涂布膜边缘扩大测量

可阶段性扩大微小领域，然后获得详细的膜厚分布数据。

GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布测量

缩小膜厚显示范围，膜厚差距不大的样品，也可以简单评估、比较其分布状况。

设备参数

项目	规格
光源	半导体激光（636nm、class2）
小测量领域	广域模式：0.5mm×0.5mm
小测量领域	高精细模式：5.5um×5.5um
入射角	70『deg』
测量再现性	膜厚：0.1nm 折射率：0.001 ※1
大测量速度	1000point/min（广域模式）
大测量速度	5000point/min（高精密模式）
载物台	行程：XY200mm以上大移动速度：约40mm/scc
尺寸/重量	约650×650×1740mm（W×D×H）/约200kg
电源	AC100V
备注	※1：此数值是以广域模式测量SiO2膜（膜厚约100mm）其中一点，重复测量100次后的标准偏差值