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列真EUV光罩缺陷检测LODAS

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列真EUV光罩缺陷检测LODAS可一次性检查第三代半导体 SIC 等材料表面,背面和内部的缺陷,可探测最小缺陷为100 纳米,主要用于半导体光罩、 LCD 大型光罩的石英玻璃表面、内部、背面的缺陷检查

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列真EUV光罩缺陷检测LODAS在半导体光罩检测设备上积累了独自技术, 主产品 LODAS ™系列具有的激光检测技术,可同时探测收集激光的反射光,透射光以及共聚焦,可一次性检查第三代半导体 SIC 等材料表面,背面和内部的缺陷,可探测最小缺陷为100 纳米,主要用于半导体光罩、 LCD 大型光罩的石英玻璃表面、内部、背面的缺陷检查 。将此项技术运用于第三代半导体材料的缺陷检查,将提升量产成品率将具有重要意义。

列真EUV光罩缺陷检测LODAS应用: SiC、GaN 

        半导体光罩(石英玻璃与涂层)、

        石英Wafer    Si Wafer  

        HDD Disk LT Wafer 

        蓝宝石衬底、

        EUV光罩、

        光罩防尘膜

 

  可全面检测 表面、内部、背面的缺陷

    外延缺陷

    胡萝卜型缺陷

    彗星缺陷

    三角缺陷

    边缘缺陷

 

    衬底缺陷

    微管缺陷

    层错缺陷

    六方空洞缺陷

 


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