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半导体激光外延片

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欧屹科技十余年来耕耘于半导体激光领域,与日本,英国,美国,德国等半导体激光芯片外延厂商合作,无论是单管激光芯片,半导体激光外延片m还是bars,stack芯片都可以提供,主要尺寸包括2吋,4吋,6吋芯片,波长从405nm-1200nm,探测器芯片也可以提供,欧屹科技为您提供性价比高的产品和服务。

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欧屹科技十余年来耕耘于半导体激光领域,与日本,英国,美国,德国等半导体激光芯片外延厂商合作,无论是单管激光芯片,半导体激光外延片m还是bars,stack芯片都可以提供,主要尺寸包括2吋,4吋,6吋芯片,波长从405nm-1200nm,探测器芯片也可以提供,欧屹科技为您提供性价比高的产品和服务。

半导体激光外延片用于制备器件

  • 半导体激光器波长范围405nm - 1,200 nm

  • 面发射器件:VCSELs  VECSELs

  • 发光二极管:RCLEDsLEDsSLEDs

  • Schottky二极管

  • 光电探测器

 


半导体激光外延片主要特征: 

  • 多种外延材料和外延结构

  • 高可靠性

  • 高一致性

  • 根据客户要求客户定制

 


半导体激光外延片主要优点:

  • 开发周期短

  • 灵活而可靠

  • 低开发成本

  • 交货期快

  • 有竞争力的价格

 

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